Полупроводниковое лазерное введение
Полупроводниковый лазер, также называемый лазерным диодом, представляет собой лазер, который использует полупроводниковый материал в качестве рабочего вещества. Из-за различий в структуре материала особые процессы для производства лазеров различных типов являются особыми. Обычные рабочие материалы включают арсенид галлия (GaAs), сульфид кадмия (CdS), фосфид индия (InP) и сульфид цинка (ZnS). Методы возбуждения бывают трех форм: электрический инжекция, электронно-лучевое возбуждение и оптическая накачка. Полупроводниковые лазерные устройства можно классифицировать на гомопереход, одиночный гетеропереход и двойной гетеропереход. Лазеры с гомогенным переходом и лазеры с одним гетеропереходом являются в основном импульсными устройствами при комнатной температуре, в то время как лазеры с двойным гетеропереходом могут работать непрерывно при комнатной температуре.
Полупроводниковые диодные лазеры являются наиболее практичным и важным классом лазеров. Его небольшой размер, длительный срок службы и простой ток впрыска для накачки его рабочего напряжения и тока совместимы с интегральной схемой, поэтому его можно интегрировать с ним. Также возможно непосредственно выполнять модуляцию тока с частотой до ГГц, чтобы получить лазерный выход с высокой скоростью модуляции. Благодаря этим преимуществам, полупроводниковые диодные лазеры широко используются в лазерной связи, оптическом накопителе, оптическом гироскопе, лазерной печати, измерении дальности и радиолокации.