Принцип расщепления
Формирование расщепления в основном ограничено кристаллической структурой и составом.
Основные причины суммируются в пяти пунктах:
Направление электрически нейтрализованной поверхности параллельной кристаллической структуры, такой как сфалерит (110).
Направление поверхностной сетки с самой высокой плотностью поверхностной сетки в параллельной кристаллической структуре, такой как каменная соль (100).
Направление грани с самым большим расстоянием граней в параллельной кристаллической структуре, такой как каменная соль (100).
Направление поверхностной сети, прилегающей к ионам одного и того же числа в параллельной кристаллической структуре (отраженной противоположным полом), например флюорит (111).
Направление поверхностной сети с самой сильной химической силой связи в параллельной кристаллической структуре, такой как графит (0001).