Процесс осаждения химических пар
Процесс осаждения химических пар делится на три важных этапа: реакционный газ рассеивается на поверхность субстрата, реакционный газ адсорбируется на поверхности субстрата, химическая реакция происходит на поверхности субстрата, образуя твердый депозита, а побочные продукты газовой фазы отсоединятся от поверхности субстрата. Наиболее распространенными реакциями химического пара являются: реакции термического разложения, реакции химического синтеза и химические транспортные реакции. Обычно TiC или TiN откладывается путем введения TiCl4, H2, CH4 и других газов в камеру реакции при 850 - 1100 градусов по Цельсию, и формирования покрытия на поверхности субстрата через химическую реакцию.