Процесс формирования полупроводникового типа отверстий
Допинг трехвалентные элементы (такие как бор) в чистых кристаллах кремния, чтобы заменить положение атомов кремния в кристаллической решетке образует полупроводник P-типа. В полупроводниках типа P отверстия являются мульти-детями, а свободные электроны — детьми из числа меньшинств, которые в основном проводят электричество через отверстия. Поскольку количество положительного заряда и количество отрицательного заряда в полупроводнике P-типа равны, полупроводник P-типа является электрически нейтральным. Отверстия в основном обеспечиваются атомами примесей, а свободные электроны образуются тепловым возбуждением.