Принцип усиления триода
1. Зона запуска испускает электроны в базовую зону
Источник питания Ub подается на эмиттерный переход через резистор Rb, а эмиттерный переход смещается в прямом направлении, и основные носители (свободные электроны) в области эмиттера непрерывно пересекают эмиттерный переход в базовую область, образуя ток Ie эмиттера. , В то же время большинство носителей в базовой области также диффундируют в область эмиттера. Однако, поскольку концентрация основных носителей намного ниже концентрации носителей в области эмиттера, этот ток можно игнорировать. Поэтому можно считать, что эмиттерный переход представляет собой в основном электронный поток.
2. Диффузия и рекомбинация электронов в базовой области
После того, как электрон входит в базовую область, он плотен вблизи эмиттерного перехода и постепенно образует разницу концентрации электронов. Под влиянием разности концентраций поток электронов вызывается диффузией в коллекторное соединение в базовой области, и электрическое поле коллектора втягивается в коллектор тока. Область формирует коллектор тока Ic. Существует также небольшая доля электронов (поскольку базовая область очень тонкая), рекомбинированных с отверстиями в базовой области, и отношение потока рассеянных электронов к потоку составных электронов определяет способность усиления триода.
3. Сбор электричества в коллекторной зоне
Поскольку коллекторное соединение плюс обратное напряжение велико, сила электрического поля, создаваемая этим обратным напряжением, будет препятствовать диффузии электронов в области коллектора в базовую область, и в то же время электроны диффундируют в окрестности коллектора. Соединение втягивается в область коллектора, чтобы сформировать магистраль коллектора. Текущий Icn. Кроме того, неосновные носители (отверстия) в области коллектора также создают дрейфовое движение, которое течет к базовой области, чтобы сформировать обратный ток насыщения, который представлен Icbo, который является небольшим по значению, но чрезвычайно чувствительным к температуре.